Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：3.5 V，漏极连续电流：23 A，电阻... | ||||||
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IPP50R199CP | Infineon Technologies | TO-220AB | 81 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.199 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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IPP50R250CP | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.250 Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP50R280CE | Infineon Technologies | TO-220 | 490 | MOSFET 500V 280 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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IPP50R299CP | Infineon Technologies | TO-220AB | 10 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.299 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.299 Ohms，最大工作温... | ||||||
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IPP50R350CP | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.350 Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP50R399CP | Infineon Technologies | TO-220AB | 227 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 560V 0.399 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP50R500CE | Infineon Technologies | TO-220 | 500 | MOSFET 500V 500 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.6 A，电阻... | ||||||
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IPP50R520CP | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.520 Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.1 A，电阻... | ||||||
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IPP530N15N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 477 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP600N25N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 54 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲... | ||||||
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IPP60R099C6 | Infineon Technologies | TO-220 | 270 | MOSFET N-CH 650V 37.9A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：37.9 A，电... | ||||||
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IPP60R099CP | Infineon Technologies | TO-220 | 4190 | MOSFET MOSFET N-Channel | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R099CPA | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 31A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R125C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 525 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A... | ||||||
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IPP60R125CP | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX PWR 650V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：500，零件号别名：IPP60R160C6XK IPP60R1... | ||||||
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