Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPP100N04S2-04 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N04S2L03 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPP100N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N04S303 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPP100N04S3-03 | Infineon Technologies | TO-220AB | 403 | MOSFET OptiMOS T PWR-TRANS N-CH 40V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N04S4-H2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP100N04S4H2AKSA1 IPP100N04S4H2XK SP0007112... | ||||||
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IPP100N06S205 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPP100N06S2-05 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N06S2L05 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPP100N06S2L-05 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS PWR TRANS 55V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N06S3-03 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N06S3-04 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N06S3L-03 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 55V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPP100N06S3L-04 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPP100N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 475 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N08S207 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPP100N08S2-07 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N08S2L07 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPP100N08S2L-07 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANS 75V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP100N10S3-05 | Infineon Technologies | TO-220 | 511 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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