Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | TO-252 | 2300 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 7.3mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N03S2L06 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD50N03S2L-06 | Infineon Technologies | TO-252 | 4946 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 6.4mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N03S4L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06XT SP0004155... | ||||||
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IPD50N04S308 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD50N04S3-08 | Infineon Technologies | TO-252 | 2527 | MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 50A 7.5mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N04S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD50N04S309ATMA1 IPD50N04S309XT SP000415582... | ||||||
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IPD50N04S4-08 | Infineon Technologies | TO-252-3 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极... | ||||||
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IPD50N04S4-10 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410XT SP000711466... | ||||||
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IPD50N04S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08XT SP0007114... | ||||||
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IPD50N06S214 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD50N06S2-14 | Infineon Technologies | TO-252 | 1980 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 50V 50A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S2L13 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD50N06S2L-13 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S3-07 | Infineon Technologies | TO-252 | 1953 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.9mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S3-09 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S3-15 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 15mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S3L-06 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.0mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD50N06S3L-08 | Infineon Technologies | TO-252 | 82 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD50N06S3L-13 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 13mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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