Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPC60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Waffer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC60R099CPZJ，... | ||||||
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IPC60R125CP | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Waffer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC60R125CPZJ，... | ||||||
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IPC60R165CP | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Waffer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC60R165CPZJ，... | ||||||
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IPC60R199CP | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Waffer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC60R199CPZJ，... | ||||||
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IPC60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Waffer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC60R299CPZJ，... | ||||||
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IPC60R385CP | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Waffer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC60R385CPZJ，... | ||||||
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IPC90R120C3 | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Waffer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC90R120C3X1SA1 IPC90R120C3ZJ SP00... | ||||||
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IPC90R1K0C3 | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Wafer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC90R1K0C3X1SA1 IPC90R1K0C3ZJ SP000... | ||||||
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IPC90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Wafer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC90R1K2C3X1SA1 IPC90R1K2C3ZJ SP000... | ||||||
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IPC90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Wafer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC90R340C3X1SA1 IPC90R340C3ZJ SP000... | ||||||
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IPC90R500C3 | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Wafer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC90R500C3X1SA1 IPC90R500C3ZJ SP000... | ||||||
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IPC90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET COOLM | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Wafer Pack，工厂包装数量：1，零件号别名：IPC90R800C3X1SA1 IPC90R800C3ZJ SP000... | ||||||
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IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极... | ||||||
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IPD031N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | 2500 | MOSFET N-CH 30V 90A 3.1mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD031N03M G | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 90A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 1486 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD035N06L3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 1306 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD036N04L G | Infineon Technologies | TO-252 | 1167 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD038N04N G | Infineon Technologies | TO-252 | 1 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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