Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB80N06S4-05 | Infineon Technologies | PG-TO-263-3-2 | 750 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，... | ||||||
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IPB80N06S4-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB80N06S4L-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB80N06S4L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB80N08S207 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N08S2-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N08S2L07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | 594 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80P03P4-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 80 A，... | ||||||
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IPB80P03P4L-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流：- 80 A，电... | ||||||
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IPB80P03P4L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流：- 80 A，电... | ||||||
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IPB80P04P4-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 80 A，... | ||||||
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IPB80P04P4-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 80 A，... | ||||||
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IPB80P04P4L-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：- 80 A，... | ||||||
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IPB80P04P4L-06 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：- 80 A，... | ||||||
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IPB80P04P4L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：- 80 A，... | ||||||
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IPB80R290C3A | Infineon Technologies | 1000 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，包装形式：Reel，零件号别名：IPB80R290C3AATMA... | ||||||
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IPB90N04S4-02 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB90N06S4-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB90N06S4L-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极... | ||||||
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