Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB80N06S2-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S2H5 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N06S2-H5 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S2L05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N06S2L-05 | Infineon Technologies | TO-263 | 3542 | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S2L06 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N06S2L-06 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANS 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S2L07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N06S2L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | 482 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S2L09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N06S2L-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANS 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S2L11 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N06S2L-11 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S2LH5 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | PG-TO263-3-2 | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S3-05 | Infineon Technologies | PG-TO263-3-2 | MOSFET N-CH 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S3-07 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S3L-05 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB80N06S3L-06 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB80N06S3L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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