Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | 4,000 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPB65R660CFDA IPB65R660CFDAXT，... | ||||||
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IPB70N04S307 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 70A 6.8mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB70N04S4-06 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB70N10S3L-12 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 100V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲... | ||||||
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IPB70N10SL16 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPB70N10SL-16 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR 100V 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB70P04P4-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 70 A，... | ||||||
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IPB77N06S212 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：77 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB77N06S2-12 | Infineon Technologies | TO-263 | 947 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 77A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB77N06S3-09 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 77A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB79CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-CH 100 V 79 Ohm | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB80N03S4L02 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N03S4L-02 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 80A 2.4mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB80N03S4L03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N03S4L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | 618 | MOSFET OPTIMOS-T2 POWER-TRANS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB80N04S204 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPB80N04S2-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 40V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N04S2H4 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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