Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSR92P L6327 | Infineon Technologies | SC-59-3 | 1663 | MOSFET P-CH 250V 0.14A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSS670S2L L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 55V 0.54A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
BSS670S2LH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 4890 | MOSFET OptiMOS Buck Converter Series | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：540 ... | ||||||
|
BSS83P H6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-KANAL | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSS83PH6327XT BSS83PH6327XTSA1 S... | ||||||
|
|
BSS83P L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 0.33A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSS83PH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 15841 | MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- ... | ||||||
|
|
BSS84P H6327 | Infineon Technologies | PG-SOT23-3 | 23725 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
|
|
BSS84P L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 0.17A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSS84P L6433 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
BSS84PW L6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET P-CH 60V 0.15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
BSS87 L6327 | Infineon Technologies | SOT-89-4 | 277 | MOSFET N-CH 240V 0.26A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSY2222A (P) | Infineon Technologies | MOSFET HIREL | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，零件号别名：BSY2222APNZ，... | ||||||
|
|
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSXT SP000756338，... | ||||||
|
BSZ018NE2LSIXT | Infineon Technologies | PG-TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A... | ||||||
|
|
BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSXT SP000792362，... | ||||||
|
BSZ023N04LS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V S308 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
|
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | PG-TSDSON-8-FL | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSZ023N04LS BSZ023N04LSXT，... | ||||||
|
|
BSZ033N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSZ033N03LSCGATMA1 BSZ033N03LSCGXT SP0005353... | ||||||
|
|
BSZ033N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSZ033N03MSCGATMA1 BSZ033N03MSCG... | ||||||
|
|
BSZ035N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET 30.0V3.5mOhm 5.7mOhm N CHANNEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
39/305 首页 上页 [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] 下页 尾页
