Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：0.19 A，电... | ||||||
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BSS126 H6327 | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 36733 | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS126 H6906 | Infineon Technologies | PG-SOT23-3 | 3074 | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS126 L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600 V 0.35 A SMALL SIGNAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS126 L6906 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS127 H6327 | Infineon Technologies | PG-SOT23-3 | 1786 | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS127 L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 0.21A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS131 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET CHIPLIEFERUNGEN | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSS131H6327XT BSS131H6327XTSA1 S... | ||||||
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BSS131 L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 240V 0.1 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS131H6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 19115 | MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100... | ||||||
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BSS138N H6327 | Infineon Technologies | PG-SOT23-3 | 72576 | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS138N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.23A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS138N L6433 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS138N L6908 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS138N L7854 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS138W H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSS138WH6327XT BSS138WH6327XTSA1... | ||||||
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BSS138W L6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 0.028A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS138W L6433 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .28A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS139 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET CHIPLIEFERUNGEN | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSS139H6327XT BSS139H6327XTSA1 S... | ||||||
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BSS139 H6906 | Infineon Technologies | MOSFET CHIPLIEFERUNGEN | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SP000702612，... | ||||||
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