Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSD816SN L6327 | Infineon Technologies | SOT-365-6 | 5095 | MOSFET N-Channel 20V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：1.4 A，... | ||||||
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BSL202SN L6327 | Infineon Technologies | TSOP | MOSFET OptiMOS 2 SM-Signal TRANSISTR 20V 7.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSL205N L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSL207N L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | 2980 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSL207SP L6327 | Infineon Technologies | TSOP | 1283 | MOSFET OptiMOS-P Sm-Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSL211SP | Infineon Technologies | PG-TSOP6-6 | MOSFET P-CH -20 V -4.7 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSL211SP L6327 | Infineon Technologies | TSOP | 231 | MOSFET P-CH -20 V -4.7 A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 ... | ||||||
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BSL214N L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSL215C L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | MOSFET OptiMOS 2/OptiMOS-P2 Sm Signal Transistr | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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BSL215P L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | MOSFET OptiMOS P2 Sm-Signal Transistor P-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSL302SN L6327 | Infineon Technologies | TSOP | MOSFET OptiMOS 2 SM-Signal TRANSISTR 30V 7.1A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSL306N L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transitor DUAL N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSL307SP L6327 | Infineon Technologies | TSOP | 2195 | MOSFET P-CH 30V 5.5A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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BSL308C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P/N-Channel -/+30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSL308CL6327HTSA1 BSL308CL6327XT SP000473910... | ||||||
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BSL308PE L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | 4074 | MOSFET Dual P-Channel -30V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 2... | ||||||
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BSL314PE L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：BSL314PEL6327HTSA1 BSL314PEL6327... | ||||||
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BSL315P L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | MOSFET OptiMOS-P2 Sm-Signal Transistor DUAL P-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSL316C L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | MOSFET OptiMOS 2/OptiMOS-P2 Sm Signal Transistr | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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BSL606SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSL606SNH6327XT，... | ||||||
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BSL802SN L6327 | Infineon Technologies | TSOP | 3646 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
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