Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC105N10LSF G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
BSC106N025S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSC109N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 100V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GXT SP0007781... | ||||||
|
|
BSC110N06NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | 12611 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
|
|
BSC118N10NS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 71A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSC119N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSC119N03LSCGATMA1 B... | ||||||
|
|
BSC119N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSC119N03MSCGATMA1 B... | ||||||
|
BSC119N03S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET N-CH 30V 11.9A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSC120N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4123 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 39A 12mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
BSC120N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 12121 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES N-CH 30V 39A 12mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
|
BSC123N08NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSC123N10LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
BSC12DN20NS3G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 200V 11.3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：11.3 A，电... | ||||||
|
|
BSC130P03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 21 | MOSFET OPTIMOS P-CH -30V -22.5A 13mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 ... | ||||||
|
|
BSC150N03LD G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1214 | MOSFET 30V SO-8 | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSC152N10NSF G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSC159N10LSF G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSC160N10NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4926 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSC16DN25NS3G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4695 | MOSFET N-CH 250V 10.9A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：10.9 A，电... | ||||||
|
|
BSC190N12NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 5647 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲... | ||||||
25/305 首页 上页 [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] 下页 尾页
