Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC0901NSIXT | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 ... | ||||||
|
BSC0902NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 30V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
|
BSC0902NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 60 | MOSFET N-CH 30V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
|
|
BSC0902NSIXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
BSC0904NSI | Infineon Technologies | TDSON-8 | 9930 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：78 A，... | ||||||
|
|
BSC0904NSIXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
BSC0906NS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4703 | MOSFET N-Channel MOSFET 30V 36A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：63 A，... | ||||||
|
|
BSC0908NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4783 | MOSFET N-CH 34V 49A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：34 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：49 A，电阻汲极... | ||||||
|
|
BSC0908NSXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
BSC0909NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4955 | MOSFET N-CH 34V 44A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：34 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲极... | ||||||
|
|
BSC090N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4479 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 48A 9mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSC090N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 8216 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
|
BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | PG-TISON-8 | MOSFET LV POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极... | ||||||
|
|
BSC091N03MSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSC093N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4785 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 49A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
BSC094N03S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
BSC100N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSC100N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 4970 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
|
|
BSC100N06LS3 G | Infineon Technologies | TDSON | 4290 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSC100N10NSF G | Infineon Technologies | TDSON | 4558 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
24/305 首页 上页 [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] 下页 尾页
