Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSC042N03S G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC042NE7NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 2477 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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BSC043N03LSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC043N03MSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC046N02KS G | Infineon Technologies | TDSON | 3494 | MOSFET OptiMOS2 PWR TRANS 20V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSC047N08NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC048N025S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET N-CH 25V 19A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC049N03MSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC050N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4215 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 80A 5mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC050N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 4000 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC050N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | 3219 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 40V 85A 5.0mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC050NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1367 | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：58 A，... | ||||||
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BSC052N03LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 2970 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：57 A，... | ||||||
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BSC052N03S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-6 | MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC054N04NS G | Infineon Technologies | TDSON | 4534 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 81A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC057N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 3301 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 71A 5.7mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC057N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 1120 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC059N03S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET N-CH 30V 17.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC059N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 73A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC060N10NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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