Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPI80N03S4L03 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI80N03S4L-03 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 80A 2.4mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPI80N03S4L04 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI80N03S4L-04 | Infineon Technologies | TO-262 | 422 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 80A 3.3mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPI80N04S204 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI80N04S2-04 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI80N04S2H4 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI80N04S2-H4 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-CH 40V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI80N04S303 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI80N04S3-03 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 80A3.2 mOhm | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI80N04S304 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI80N04S3-04 | Infineon Technologies | TO-262 | 258 | MOSFET N-CH 40V 80 A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI80N04S306 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI80N04S3-06 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 80A 5.8mOhMS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI80N04S3-H4 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI80N04S3H4AKSA1 IPI80N04S3H4XK SP000415630... | ||||||
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IPI80N04S4-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI80N04S403AKSA1 IPI80N04S403XK SP000671634... | ||||||
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IPI80N04S4-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI80N04S404AKSA1 IPI80N04S404XK SP000646190... | ||||||
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IPI80N04S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI80N04S4L04AKSA1 IPI80N04S4L04XK SP0006461... | ||||||
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IPI80N06S207 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI80N06S2-07 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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