Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPI60R190C6 | Infineon Technologies | TO-262-3 | 490 | MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20.2... | ||||||
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IPI60R199CP | Infineon Technologies | TO-262 | 488 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI60R250CP | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.250Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI60R280C6 | Infineon Technologies | TO-262-3 | 250 | MOSFET 600V CoolMOSC7 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13.8... | ||||||
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IPI60R385CP | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO262-3-1 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI65R099C6 IPI65R099C6XK，... | ||||||
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IPI65R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET Infineon COOL MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI65R280E6XK，... | ||||||
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IPI65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFET Infineon COOL MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI65R380E6XK，... | ||||||
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IPI65R420CFD | Infineon Technologies | I2PAK | 500 | MOSFET CoolMOS 650V 420mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：8.7 A，电阻... | ||||||
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IPI65R660CFD | Infineon Technologies | I2PAK | 500 | MOSFET Infineon COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极... | ||||||
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IPI70N04S307 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPI70N04S3-07 | Infineon Technologies | TO-262 | 232 | MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 70A 6.8mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI70N04S4-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI70N04S406AKSA1 IPI70N04S406XK SP000711484... | ||||||
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IPI70N10S3-12 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI70N10S3L-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 100V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI70N10S3L12AKSA1 IPI70N10S3L12XK SP0004272... | ||||||
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IPI70N10SL16 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPI70N10SL-16 | Infineon Technologies | TO-262 | 454 | MOSFET SIPMOS N-CH 100V 70A 16mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI70P04P4-09 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -70A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI70P04P409AKSA1 IPI70P04P409XK SP000735974... | ||||||
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IPI77N06S3-09 | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 55V 77A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI80CN10N G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 13A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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