| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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2PS8012LC4G27330 |
Infineon Technologies |
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IGBT 模块 |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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BSM75GB120DLC |
Infineon Technologies |
34MM |
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IGBT 模块 1200V 75A DUAL |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... |
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BSM75GB120DN2 |
Infineon Technologies |
Half Bridge1 |
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IGBT 模块 1200V 75A DUAL |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... |
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BSM75GB120DN2_E3223 |
Infineon Technologies |
34MM |
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IGBT 模块 N-CH 1.2KV 105A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... |
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BSM75GB120DN2_E3223c-Se |
Infineon Technologies |
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IGBT 模块 IGBT 1200V 75A |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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BSM75GB170DN2 |
Infineon Technologies |
34MM |
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IGBT 模块 N-CH 1.7KV 110A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... |
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BSM75GB60DLC |
Infineon Technologies |
34MM |
252 |
IGBT 模块 600V 75A DUAL |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... |
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BSM75GD120DLC |
Infineon Technologies |
Econo 3 |
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IGBT 模块 N-CH 1.2KV 125A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... |
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BSM75GD120DN2 |
Infineon Technologies |
EconoPACK 3A |
6 |
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... |
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BSM75GD60DLC |
Infineon Technologies |
EconoPACK 2A |
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IGBT 模块 600V 75A 3-PHASE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... |
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BSM75GP60 |
Infineon Technologies |
Econo PIM3 |
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IGBT 模块 600V 75A PIM |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... |
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BSM300GA160DN13C_B7 |
Infineon Technologies |
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IGBT 模块 IGBT 1600V 300A |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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BSM300GA160DN13C_E3212 |
Infineon Technologies |
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IGBT 模块 |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，... |
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BSM300GA170DL |
Infineon Technologies |
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IGBT 模块 N-CH 1.7KV 600A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：170... |
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BSM300GA170DLC |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模块 900V 300A IGBT MODULE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，... |
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BSM300GA170DLS |
Infineon Technologies |
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IGBT 模块 N-CH 1.7KV 600A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... |
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BSM300GA170DN2 |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模块 N-CH 1.7KV 440A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：170... |
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BSM300GA170DN2_E3166 |
Infineon Technologies |
62 mm |
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IGBT 模块 N-CH 1.7KV 440A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：170... |
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BSM300GA170DN2S |
Infineon Technologies |
Single Switch Sense |
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IGBT 模块 1700V 300A SINGLE |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... |
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BSM300GA170DN2S_E3256 |
Infineon Technologies |
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IGBT 模块 IGBT 1700V 300A |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
