Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FP30R06YE3_B4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 30A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP50R06KE3 | Infineon Technologies | Econo 2 | 4 | IGBT 模块 N-CH 600V 60A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在2... | ||||||
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FP50R06KE3G | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 600V 60A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FP50R06W2E3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP50R06W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP50R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPIM3 | 29 | IGBT 模块 1200V 50A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FP75R06KE3 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FP75R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPIM3 | 9 | IGBT 模块 1200V 75A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FP75R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 105A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP75R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 75A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
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FP75R12KT4_B15 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 75A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP50R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 75A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP50R12KT4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
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FP50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
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FT150R12KE3_B5 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在2... | ||||||
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FT150R12KE3G_B4 | Infineon Technologies | 模块 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FT150R12KT4_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ3600R12HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MOD SOFT SWITCH 3600A 1200V 19KW | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FZ400R12KE4 | Infineon Technologies | Module | 5 | IGBT 模块 IGBT 1200V 400A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.2 kV，集电极—射极饱和电... | ||||||
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FZ400R12KP4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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