Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FP15R12W1T4 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP15R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 15A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP15R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 15A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP15R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 20 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在... | ||||||
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FP15R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 600V 22A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FP15R06YE3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 22A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FP15R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Module | IGBT 模块 IGBT 600V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集电极—发射极最大电压 VCEO：60... | ||||||
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FP15R12KE3 | Infineon Technologies | EASY2 | 17 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 27A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP40R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPIM2 | 4 | IGBT 模块 1200V 40A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FP40R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 2 | 4 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP40R12KT3G | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP35R12KS4CG | Infineon Technologies | EconoPIM3 | IGBT 模块 1200V 35A PIM | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
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FP35R12KT4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP35R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP35R12KT4_B15 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 35A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP35R12W2T4 | Infineon Technologies | EASY2B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP35R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 35A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP30R06KE3 | Infineon Technologies | 40 | IGBT 模块 600V PIM | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
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FP30R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 600V 37A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FP30R06YE3 | Infineon Technologies | EASY2 | 2 | IGBT 模块 N-CH 600V 37A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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