Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FB20R06KL4_B1 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06W1E3_B1 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 20A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FB20R06XE3 | Infineon Technologies | EASY1 | IGBT 模块 N-CH 600V 27A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06YE3_B1 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 EASYPIM2 - IGBT MODULES | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FB30R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB30R06W1E3_B1 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 30A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FB6R06VE3ENG | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F3L150R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F3L30R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Module | 11 | IGBT 模块 IGBT MODULES 600V 30A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：3-Phase，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电... | ||||||
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F3L50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MODULES 600V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F3L75R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 75A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F4-150R06KL4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 600V 180A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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F4-150R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 ... | ||||||
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F4-400R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-100R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 130A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-200R06KL4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 600V 225A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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F4-25R12NS4 | Infineon Technologies | Econo 1 | IGBT 模块 IGBT-MODULES | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-25R12YT3_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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