Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FD600R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1200V 600A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter ... | ||||||
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FD600R16KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1600V 600A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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FD600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... | ||||||
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FD600R17KE3-K_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FD600R17KF4C | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 650A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD600R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM73 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 975A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电... | ||||||
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FD600R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 600A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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FD650R17IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 650A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FA300R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FB10R06KL4 | Infineon Technologies | EASY1 | 16 | IGBT 模块 N-CH 600V 15A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB10R06KL4G | Infineon Technologies | EASY2 | 12 | IGBT 模块 N-CH 600V 15A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的... | ||||||
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FB10R06KL4G_B1 | Infineon Technologies | EASY2 | 7 | IGBT 模块 N-CH 600V 15A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的... | ||||||
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FB10R06VE3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 10A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB10R06VE3ENG | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 600V 15A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FB10R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB15R06KL4 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 19A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB15R06KL4_B1 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 19A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB15R06VE3ENG | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FB15R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FB20R06KL4 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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