Infineon Technologies
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图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FF600R12IE4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF600R12IP4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A | ||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF600R12IS4F | Infineon Technologies | 模块 | IGBT 模块 IGBT 1200V 600A | ||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
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FF600R12KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1200V 600A DUAL | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF600R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1200V 600A DUAL | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF600R12KL4C | Infineon Technologies | IHM | 1 | IGBT 模块 1200V 600A DUAL | |
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF600R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 600A | |||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
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FF600R16KF4 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1600V 600A DUAL | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF600R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 900A | ||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual Dual Collector Dual Emitter,集电极—发射极... | ||||||
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FF600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A | ||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual Dual Collector Dual Emitter,集电极—发射极... | ||||||
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FF600R17KF4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
参数:制造商:Infineon,工厂包装数量:2,... | ||||||
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FF600R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 975A | ||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:... | ||||||
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FF600R17KF6C_B4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
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FF600R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 600A DUAL | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF650R17IE4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 930A | ||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF650R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 650A | |||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
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FF75R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 75A | |||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
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FF75R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 8 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A | |
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF800R12KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1200V 800A DUAL | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF800R12KF4 | Infineon Technologies | 模块 | IGBT 模块 1200V 800A DUAL | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCE... |
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