| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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FH1-G |
TriQuint Semiconductor |
SOT-89 |
424 |
射频GaAs晶体管 50-4000MHz +21dBm P1dB |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：MESFET，频率：50 MHz to 4 GHz，增益：18 dB，噪声系数：... |
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CFH800 |
TriQuint Semiconductor |
SC70 |
164 |
射频GaAs晶体管 GaAs LN Transistor |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：1.8 GHz，增益：17 dB，噪声系数：0.5 dB，正向... |
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CFH400 |
TriQuint Semiconductor |
SOT343 |
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射频GaAs晶体管 GaAs LN Transistor |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：1.8 GHz，增益：15 dB，噪声系数：0.55 dB，正... |
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CLY2 |
TriQuint Semiconductor |
MW-6 |
779 |
射频GaAs晶体管 GaAs LN MMIC |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：1.8 GHz，增益：14.5 dB，漏源电压 VDS：9 V，闸/源击穿电压：- 6 V，漏... |
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CLY5 |
TriQuint Semiconductor |
SOT-223 |
901 |
射频GaAs晶体管 GaAs Power MMIC |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：1.8 GHz，增益：9.5 dB，噪声系数：1.72 dB，漏源电压 VDS：9 V，闸/源... |
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T1G6001528-Q3 |
TriQuint Semiconductor |
EAR99 |
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射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：6 GHz，增益：11.5 dB，漏源电压 VDS：28 V，闸/源击穿电压：- 3.7 V，... |
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T1G6001528-Q3-EVB1 |
TriQuint Semiconductor |
EAR99 |
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射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB EVAL BRD |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：6 GHz，增益：11.5 dB，漏源电压 VDS：28 V，闸/源击穿电压：- 3.7 V，... |
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T1G6003028 |
TriQuint Semiconductor |
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射频GaAs晶体管 DC-6GHz 30Watt 28Volt GaN |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，包装形式：Tray，... |
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T1G4003532-FL |
TriQuint Semiconductor |
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射频GaAs晶体管 DC-3.5GHz 35Watt 32Volt GaN |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，包装形式：Tray，... |
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T1G4003532-FS |
TriQuint Semiconductor |
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射频GaAs晶体管 DC-3.5GHz 35Watt 32Volt GaN |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，包装形式：Tray，... |
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T1P2701012-SP 12V |
TriQuint Semiconductor |
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139 |
射频GaAs晶体管 .5-3GHz 10W 12Volts pHEMT |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：500 MHz to 3 GHz，增益：10 dB，正向跨导 ... |
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TGF1350-SCC |
TriQuint Semiconductor |
SMD/SMT |
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射频GaAs晶体管 DC-18.0GHz 0.3mm MESFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：18 GHz，增益：7 dB，噪声系数：2.5 dB，正向跨导 ... |
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TGF2021-01 |
TriQuint Semiconductor |
4-Pin-Die |
50 |
射频GaAs晶体管 DC-12GHz 1mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... |
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TGF2021-02 |
TriQuint Semiconductor |
4-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-12GHz 2mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... |
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TGF2021-04 |
TriQuint Semiconductor |
8-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-12GHz 4mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... |
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TGF2021-12 |
TriQuint Semiconductor |
18-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-12GHz 12mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... |
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TGF2022-06 |
TriQuint Semiconductor |
2-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-20GHz 0.6mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值... |
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TGF2022-12 |
TriQuint Semiconductor |
4-Pin-Die |
100 |
射频GaAs晶体管 DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：450 mS，漏源电压 ... |
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TGF2022-24 |
TriQuint Semiconductor |
8-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-20GHz 2.4mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：900 mS，漏源电压 ... |
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TGF2022-48 |
TriQuint Semiconductor |
18-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-20GHz 4.8mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值... |
