Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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CFY 25-20 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9 dB，噪声系数：1.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY 25-20P (H) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9 dB，噪声系数：1.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY 25-20P (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9 dB，噪声系数：1.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY25-20 (S) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：9 dB，噪声系数：1.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY25-23 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：8.7 dB，噪声系数：2.2 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值... | ||||||
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CFY67-08 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射频GaAs晶体管 | ||
| 参数：制造商：Infineon，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：65 m... | ||||||
