NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PHD66NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHD71NQ03LT/T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHD77NQ03T,118 | NXP Semiconductors | DPAK | 两极晶体管 - BJT Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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PHD78NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHD96NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHD82NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHD9NQ20T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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MX0912B251Y TRAY | NXP Semiconductors | SOT-439A | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICL | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最大电压 VCEO：2... | ||||||
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MX0912B251Y,114 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICL | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最... | ||||||
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MX0912B351Y TRAY | NXP Semiconductors | SOT-439A | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICL | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最大电压 VCEO：2... | ||||||
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MX0912B351Y,114 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICL | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最... | ||||||
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MZ0912B100Y TRAY | NXP Semiconductors | SOT-443A | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最大电压 VCEO：2... | ||||||
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MZ0912B100Y,114 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最... | ||||||
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MZ0912B50Y TRAY | NXP Semiconductors | SOT-423A | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最大电压 VCEO：2... | ||||||
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MZ0912B50Y,114 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最... | ||||||
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RX1214B300Y TRAY | NXP Semiconductors | SOT-439 | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最... | ||||||
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RX1214B300Y,114 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 两极晶体管 - BJT BULKTR TNS-MICP | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：65 V，集电极—发射极最... | ||||||
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BUJ100,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|带盒（TB）|-|在售|NPN|1 A|400 V|1V @ 150mA，750mA|100μA|9 @ 750mA，5... | ||||||
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BUJ100,412 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|散装|-|在售|NPN|1 A|400 V|1V @ 150mA，750mA|100μA|9 @ 750mA，5V|2 ... | ||||||
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BUJ100B,116 | NXP Semiconductors | SPT | 两极晶体管 - BJT TAPERA BIPOLAR | ||
| 参数：制造商：NXP，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：700 V，集电极—发射极最大电压 VCEO：350 V，最大直流电集电极电... | ||||||
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