NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PHD22NQ20T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHE13003A,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT Single NPN 1A 2.1W | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|带盒（TB）|-|在售|NPN|1 A|400 V|1.5V @ 250mA，750mA|1mA|10 @ 400mA，... | ||||||
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PHE13003A,412 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1A | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|散装|-|在售|NPN|1 A|400 V|1.5V @ 250mA，750mA|1mA|10 @ 400mA，5V|2... | ||||||
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PHE13003C,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 7,746 | 两极晶体管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W | |
| 参数：WeEn Semiconductors|剪切带（CT）,带盒（TB）|-|在售|NPN|1.5 A|400 V|1.5V @ 500mA，1.5A|100μA|... | ||||||
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PHE13003C,412 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 20,000 | 两极晶体管 - BJT Silicon diffused power transistor | |
| 参数：WeEn Semiconductors|散装|-|在售|NPN|1.5 A|400 V|1.5V @ 500mA，1.5A|100μA|5 @ 1A，2V|2.... | ||||||
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PHE13005 | NXP Semiconductors | SOT-78 | 两极晶体管 - BJT RAIL BIPOLAR | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：700 V，集电极—发射极... | ||||||
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PHE13005,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 两极晶体管 - BJT RAIL BIPOLAR | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|在售|NPN|4 A|400 V|1V @ 1A，4A|100μA|10 @ 2A，5V|75 W|-|150... | ||||||
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PHE13005X,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(3+Tab) | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|停产|NPN|4 A|400 V|1V @ 1A，4A|100μA|10 @ 2A，5V|26 W|-|150... | ||||||
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PHE13005X/01,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 两极晶体管 - BJT Silicon diffused pwr transistor | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|*|在售|-|-|-|-|-|-|-|-|-|通孔|TO-220-3 全封装，隔离接片|TO-220F|... | ||||||
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PHE13007 | NXP Semiconductors | SOT-78 | 两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：700 V，集电极—发射极... | ||||||
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PHE13007,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 4,886 | 两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS | |
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|在售|NPN|8 A|400 V|350mV @ 1A，5A|200μA|8 @ 2A，5V|80 W|-|1... | ||||||
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PHE13009 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：700 V，集电极—发射极... | ||||||
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PHE13009,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|在售|NPN|12 A|400 V|2V @ 1.6A，8A|100μA|8 @ 5A，5V|80 W|-|1... | ||||||
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PHE13009/DG,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 两极晶体管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|在售|NPN|12 A|400 V|2V @ 1.6A，8A|100μA|8 @ 5A，5V|80 W|-|1... | ||||||
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PHD33NQ20T,118 | NXP Semiconductors | 38-TSSOP | 两极晶体管 - BJT TRENCH-200 | ||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Reel - 13 in，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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PHD34NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHD36N03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHD38N02LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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PHD45NQ15T,118 | NXP Semiconductors | 38-TSSOP | 两极晶体管 - BJT TRENCH-150 | ||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Reel - 13 in，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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PHD63NQ03LT/T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
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