NXP Semiconductors
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PEMZ7,315 | NXP Semiconductors | SOT-666 | 两极晶体管 - BJT 12V 300mW NPN/PNP gen purpose transist | ||
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）|-|不适用于新设计|NPN，PNP|500mA|12V|220mV @ 10mA，200mA|100nA（IC... | ||||||
|
PH2369 | NXP Semiconductors | SOT-54 | 两极晶体管 - BJT NPN SWITCHING TRANS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：40 V，集电极—发射极最... | ||||||
|
PH2369 AMO | NXP Semiconductors | SOT-54 | 两极晶体管 - BJT NPN SWITCHING TRANS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：40 V，集电极—发射极最... | ||||||
|
|
PH2369 T/R | NXP Semiconductors | SOT-54 | 两极晶体管 - BJT NPN SWITCHING TRANS TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：40 V，集电极—发射极最... | ||||||
|
PH2369,112 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT NPN SWITCHING TRANS BULK | ||
| 参数：NXP USA Inc.|管件|-|停产|NPN|200 mA|15 V|250mV @ 1mA，10mA|400nA（ICBO）|40 @ 10mA，1V|5... | ||||||
,TO-226_straightlead.jpg)
|
PH2369,116 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT NPN SWITCHING TRANS TAPE-7 | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|NPN|200 mA|15 V|250mV @ 1mA，10mA|400nA（ICBO）|40 @ 10mA，... | ||||||
|
|
PH2369,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT NPN SWITCHING TRANS AMMO | ||
| 参数：NXP USA Inc.|带盒（TB）|-|停产|NPN|200 mA|15 V|250mV @ 1mA，10mA|400nA（ICBO）|40 @ 10mA，... | ||||||
|
PHD101NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
|
|
PHD108NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
|
|
PHD13003C,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 两极晶体管 - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|带盒（TB）|-|在售|NPN|1.5 A|400 V|1.5V @ 500mA，1.5A|100μA|5 @ 1A，2... | ||||||
|
|
PHD13003C,412 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | 7,267 | 两极晶体管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W | |
| 参数：WeEn Semiconductors|散装|-|在售|NPN|1.5 A|400 V|1.5V @ 500mA，1.5A|100μA|5 @ 1A，2V|2.... | ||||||
|
PHD13005,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 两极晶体管 - BJT TRANSISTOR NPN BIPO 700V | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|在售|NPN|4 A|400 V|1V @ 1A，4A|100μA|10 @ 2A，5V|75 W|-|150... | ||||||
|
PHD13005AD,127 | NXP Semiconductors | DPAK | 两极晶体管 - BJT TRANSISTOR NPN BIPO 700V | ||
| 参数：NXP USA Inc.|管件|-|停产|NPN|4 A|700 V|-|-|-|-|-|-|表面贴装型|TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC... | ||||||
|
|
PHD138NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | 两极晶体管 - BJT TRENCH<=30 | |||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Reel - 13 in，工厂包装数量：2500，... | ||||||
SOT428.JPG)
|
PHD14NQ20T,118 | NXP Semiconductors | DPAK | 两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：DPAK，最大功率耗散：125000 mW，最小工作温度：- 55 C，包装形... | ||||||
|
|
PHD16N03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
|
|
PHD16N03T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
|
PHD18NQ10T,118 | NXP Semiconductors | DPAK | 两极晶体管 - BJT Trans MOSFET P-CH 200V 21.5A 3-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
|
|
PHD21N06LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | 两极晶体管 - BJT TRENCH-55 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
|
|
PHD21N06LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | 两极晶体管 - BJT TRENCH-55 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-428，最大功率耗散... | ||||||
55/81 首页 上页 [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] 下页 尾页
