Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BDP 948 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：45 V，集电极... | ||||||
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BDP 948 E6433 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：45 V，集电极... | ||||||
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BDP 948 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BDP948H6327XT，... | ||||||
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BDP 948 H6433 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：4000，零件号别名：BDP948H6433XT，... | ||||||
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BDP 949 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 893 | 两极晶体管 - BJT Silicn NPN Transistr | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极... | ||||||
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BDP 949 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BDP949H6327XT，... | ||||||
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BDP 950 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：60 V，集电极... | ||||||
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BDP 950 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BDP950H6327XT，... | ||||||
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BDP 953 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF Power TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：120 V，集电... | ||||||
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BDP 953 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BDP953H6327XT，... | ||||||
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BDP 954 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：120 V，集电... | ||||||
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BDP 954 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BDP954H6327XT，... | ||||||
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BF 5030 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT-143-3D | 两极晶体管 - BJT SILICON N-CH MOSFET TETRODE LW NOISE | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|MOSFET|N 通道|800MHz|24dB|3 V|25mA|1.3dB|10 mA|-... | ||||||
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BF 5030R E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT-143R-3D | 两极晶体管 - BJT SILICON N-CH MOSFET TETRODE LW NOISE | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|MOSFET|N 通道|800MHz|24dB|3 V|25mA|1.3dB|10 mA|-... | ||||||
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BF 517 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR 25V 25mA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极... | ||||||
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BF 770A E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT23 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极... | ||||||
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BF 771 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极... | ||||||
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BF 799 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：30 V，集电极... | ||||||
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BF 799W E6327 | Infineon Technologies | SOT-323-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：30 V，集电极... | ||||||
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BF 775 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT23 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极... | ||||||
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