Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BF 776 E6327 | Infineon Technologies | SOT-343 | 两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 4V 0.05A 4-Pin | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：13 V，集电极... | ||||||
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BFG 135A E6327 | Infineon Technologies | SOT-223 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF Trans DISCONTINUED | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：25 V，集电极... | ||||||
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BFG 193 E6433 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极... | ||||||
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BFG 196 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极... | ||||||
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BFG 19S E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF Trans | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极... | ||||||
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BFG 235 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT223-4 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF Trans DISCONTINUED | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：25 V，集电极... | ||||||
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BFN 18 E6327 | Infineon Technologies | SOT-89-4 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：300 V，集电... | ||||||
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BFN 19 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT89 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTOR | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|PNP|200 mA|300 V|500m... | ||||||
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BFN 24 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：250 V，集电... | ||||||
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BFN 26 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：300 V，集电... | ||||||
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BFN 26 E6433 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：300 V，集电... | ||||||
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BFN 27 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：300 V，集电... | ||||||
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BFN 38 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：300 V，集电... | ||||||
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BFN 38 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BFN38H6327XT，... | ||||||
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BFN 39 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：300 V，集电... | ||||||
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BFN 39 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BFN39H6327XT，... | ||||||
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BFP540FE6327 | Infineon Technologies | TSFP | 两极晶体管 - BJT NPN 4.5 V 80 mA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作温度：+ 150 C，封装形式：TS... | ||||||
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BFQ 19S E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT89 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极... | ||||||
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BC 807-16W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|PNP|500 mA|45 V|700mV @ 50mA，500mA|100nA（ICBO）... | ||||||
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BC 807-16W H6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|PNP|500 mA|45 V|700mV @ 50mA，500mA|100nA（ICBO）... | ||||||
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