| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BFR 183W H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR183，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR183... |
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BFR 193 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
14814 |
射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 193F E6327 |
Infineon Technologies |
TSFP-3 |
12863 |
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8 GHz，集电极—发射极最大电压... |
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BFR 193F H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR193，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR193... |
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BFR 193L3 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 193W E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT323 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 193W H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR193，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR193... |
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BFR 340F E6327 |
Infineon Technologies |
TSFP-3 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：14 GHZ，集电极—发射极最大电... |
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BFR 340F H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR340，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR340... |
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BFR 340L3 E6327 |
Infineon Technologies |
TSLP |
13535 |
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：14000 MHz，集电极—发射极... |
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BFR 35AP E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：5000 MHz，集电极—发射极最... |
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BFR 360F E6327 |
Infineon Technologies |
PG-TSFP-3 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：14000 MHz，集电极—发射极... |
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BFR 360F H6327 |
Infineon Technologies |
TSFP-3 |
1856 |
射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：3.5 GHz，集电极—发射极最大... |
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BFR 360F H6765 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR360，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR360... |
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BFR 360L3 E6327 |
Infineon Technologies |
PG-TSLP-3-1 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：14000 MHz，集电极—发射极... |
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BFR 360L3 E6765 |
Infineon Technologies |
TSLP |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF Transistor |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：14000 MHz，集电极—发射极... |
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BFR 380F E6327 |
Infineon Technologies |
PG-TSFP-3 |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：14000 MHz，集电极—发射极... |
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BFR 380F H6327 |
Infineon Technologies |
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射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR380，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFR380... |
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BFR 380L3 E6327 |
Infineon Technologies |
TSLP |
4511 |
射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：14000 MHz，集电极—发射极... |
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BFR 460L3 E6327 |
Infineon Technologies |
TSLP |
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射频双极小信号晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：22000 MHz，集电极—发射极... |
