Infineon Technologies
|
图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
---|---|---|---|---|---|---|
ST 288 H | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTORS | ||||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,包装形式:Reel,零件号别名:ST288HXT,... | ||||||
BFY193SAMNZ | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
BFR 720L3RH E6327 | Infineon Technologies | TSLP-3-9 | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTORS | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,晶体管极性:NPN,最大工作频率:45 GHz,集电极—发射极最大电压 VCEO:4 V,发射极 - ... | ||||||
BFR 92P E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 8583 | 射频双极小信号晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:5000 MHz,集电极—发射极最... | ||||||
BFR 92W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:5000 MHz,集电极—发射极最... | ||||||
BFR 92W H6327 | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR | ||||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFR92,工厂包装数量:3000,零件号别名:BFR92WH... | ||||||
BFR 93A E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V,发射... | ||||||
BFR 93AW E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V,发射... | ||||||
BFR 93AW H6327 | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR | ||||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFR93,工厂包装数量:3000,零件号别名:BFR93AW... | ||||||
BFR 949L3 E6327 | Infineon Technologies | PG-TSLP-3-1 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 10V 50mA | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:9000 MHz,集电极—发射极最... | ||||||
BFR 106 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,功率耗散:700 mW,最大工作温度:+ 150... | ||||||
BFR 181 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 3552 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,功率耗散:175 mW,最大工作温度:+ 150... | ||||||
BFR 181 E6780 | Infineon Technologies | PG-SOT23 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,功率耗散:175 mW,最大工作温度:+ 150... | ||||||
BFR 181W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,功率耗散:175 mW,最大工作温度:+ 150... | ||||||
BFR 181W H6327 | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR | ||||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFR181,工厂包装数量:3000,零件号别名:BFR181... | ||||||
BFR 182 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 6830 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:8000 MHz,集电极—发射极最... | ||||||
BFR 182W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:8000 MHz,集电极—发射极最... | ||||||
BFR 182W H6327 | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR | ||||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFR182,工厂包装数量:3000,零件号别名:BFR182... | ||||||
BFR 183 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:8000 MHz,集电极—发射极最... | ||||||
BFR 183W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:8000 MHz,集电极—发射极最... |
© 2010 IC邮购网 icyougou.com版权所有