| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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GT10G131(TE12L,Q) |
Toshiba |
8-SOP（5.5x6.0） |
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IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 200A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... |
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GT10J303(Q) |
Toshiba |
TO-220(NIS)-3 |
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IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A |
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| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... |
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GT10J312(Q) |
Toshiba |
TO-220SM |
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IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A |
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| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... |
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GT10J321(Q) |
Toshiba |
TO-220(NIS)-3 |
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IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A |
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| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：25 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... |
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GT10Q101(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶体管 1200V/10A DIS |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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GT10Q301(Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶体管 IGBT, 1200V, 10A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：50，... |
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GT15J301(Q) |
Toshiba |
TO-220(NIS)-3 |
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IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 15A |
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| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150 C，... |
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GT15J311(Q) |
Toshiba |
TO-220FL/SM-3 |
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IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 15A |
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| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... |
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GT15J321(Q) |
Toshiba |
TO-220 NIS |
166 |
IGBT 晶体管 600V/15A DIS+FRD |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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GT15J331(TE24L,Q) |
Toshiba |
TO-220 SM |
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IGBT 晶体管 IGBT 600V 15A |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，封装形式：TO-220 SM，安装风格：Through Hole，工厂包装数量：1000，... |
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GT15Q102(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶体管 1200V/15A DIS |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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GT20J321(Q) |
Toshiba |
TO-220(NIS)-3 |
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IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 20A |
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| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... |
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GT25G101(Q) |
Toshiba |
TO-220 |
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IGBT 晶体管 IGBT 400V 170A |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V，栅极/发射极最大电压：25 ... |
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GT25Q102(Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶体管 IGBT, 1200V, 25A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：100，... |
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GT25Q301(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
12 |
IGBT 晶体管 High Power Motor N Channel IGBT 2.7V |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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GT30J121(Q) |
Toshiba |
TO-3P（N） |
4 |
IGBT 晶体管 600V/30A DIS |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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GT40Q323(Q) |
Toshiba |
TO-3PN-3 |
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IGBT 晶体管 IGBT 1200V 39A |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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GT40T301(Q) |
Toshiba |
TO-3P(LH)-3 |
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IGBT 晶体管 IGBT 1500V 40A |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1500 V，栅极/发射极最大电压：25... |
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GT50J102(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶体管 IGBT 600V 50A |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 ... |
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GT50J121(Q) |
Toshiba |
TO-3P（LH） |
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IGBT 晶体管 600V/50A DIS |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
