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Ixys

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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications.
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点击查看IXGH48N60A3参考图片 IXGH48N60A3 Ixys TO-247AD 2,386 IGBT 晶体管 75 Amps 600V 1.05 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGH48N60A3D1参考图片 IXGH48N60A3D1 Ixys TO-247AD 264 IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,...
点击查看IXXH100N60B3参考图片 IXXH100N60B3 Ixys TO-247AD(IXXH) IGBT 晶体管 XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.8 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25 C的连续...
点击查看IXXH100N60C3参考图片 IXXH100N60C3 Ixys TO-247AD(IXXH) 28 IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.2 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25 C的连续...
点击查看IXXH50N60C3参考图片 IXXH50N60C3 Ixys TO-247(IXXH) IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25 C的连续...
点击查看IXXH50N60C3D1参考图片 IXXH50N60C3D1 Ixys TO-247AD(IXXH) IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25 C的连续...
点击查看IXXK100N60B3H1参考图片 IXXK100N60B3H1 Ixys TO-264(IXXK) IGBT 晶体管 XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.8 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25 C的连续...
点击查看IXXK100N60C3H1参考图片 IXXK100N60C3H1 Ixys TO-264(IXXK) 7 IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.2 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25 C的连续...
点击查看IXYB82N120C3H1参考图片 IXYB82N120C3H1 Ixys PLUS264? IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:2.75 V,栅极/发射极最大电压:2...
点击查看IXYH50N120C3参考图片 IXYH50N120C3 Ixys TO-247(IXYH) IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:2.5 V,栅极/发射极最大电压:20...
点击查看IXYH82N120C3参考图片 IXYH82N120C3 Ixys TO-247(IXYH) IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:2.75 V,栅极/发射极最大电压:2...
点击查看IXYK100N120C3参考图片 IXYK100N120C3 Ixys TO-264(IXYK) 81 IGBT 晶体管 1200V 188A XPT IGBT
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看IXYK120N120C3参考图片 IXYK120N120C3 Ixys TO-264(IXYK) 456 IGBT 晶体管 1200V 220A XPT IGBT
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看IXYN82N120C3H1参考图片 IXYN82N120C3H1 Ixys SOT-227B IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:2.75 V,栅极/发射极最大电压:2...
点击查看IXLF19N250A参考图片 IXLF19N250A Ixys ISOPLUS i4-PAC? IGBT 晶体管 High Voltage IGBT 2500V; 19A
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:2500 V,集电极—射极饱和电压:3.9 V,栅极/发射极最大电压:+/...
IXLV19N250A Ixys IGBT 晶体管
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:50,...
点击查看IXGH20N60B参考图片 IXGH20N60B Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGH20N60BD1参考图片 IXGH20N60BD1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGH20N60BU1参考图片 IXGH20N60BU1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 G-series A,B,C
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.7 V,栅极/发射极最大电压:20 ...
点击查看IXGH28N60BD1参考图片 IXGH28N60BD1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...

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