Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGT6N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 12 Amps 1700 V 7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：7 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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IXGX100N160A | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 75Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXGX100N170 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGX120N120A3 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 120 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGX120N60A3 | Ixys | PLUS247?-3 | 26 | IGBT 晶体管 120 Amps 600V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGX120N60B | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 76 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGX120N60B3 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 120Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGX120N60C2 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 G-SERIES "C" HI-FREQ SINGLE IGBT 600V 75A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGX12N90C | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 12 Amps 900V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGX320N60A3 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 320 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGX32N170AH1 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 24 Amps 1700V 5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：5 V，栅极/发射极最大电压：+/- ... | ||||||
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IXGX32N170H1 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 32 Amps 1700V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：3.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGX35N120B | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGX35N120BD1 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGX400N30A3 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 400 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGX40N120BD1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 75 Amps 1200V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGX40N60BD1 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGX50N60B2D1 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGX50N60BD1 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGX50N60C2D1 | Ixys | PLUS247?-3 | IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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