Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGR80N60B | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 85 Amps 600V 2.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGT10N170 | Ixys | TO-268AA | 76 | IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 4 V Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：4 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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IXGT10N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：6 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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IXGT12N120A2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 24 Amps 1200V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGT15N120B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGT15N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGT15N120CD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGT16N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：3.5 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGT16N170A | Ixys | TO-268AA | 660 | IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 5 V Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：5 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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IXGT16N170AH1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 11 Amps 1700V 5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：5 V，封装形式：TO-268-3，包装形式：Box，安装风格：SMD/SMT，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGT20N 60B | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶体管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGT20N 60BD1 | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶体管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGT20N100 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1000V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：+/- ... | ||||||
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IXGT20N120 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGT20N120B | Ixys | TO-268-3 | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.4 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGT20N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGT24N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：3.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGT24N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 24 Amps 1200 V 5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：5 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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IXGT24N170AH1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 48 Amps 170V 6.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：6 V，封装形式：TO-268-3，包装形式：Tube，安装风格：SMD/SMT，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGT24N60B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 48 Amps 600 V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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