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Ixys

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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications.
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点击查看IXGR48N60B3D1参考图片 IXGR48N60B3D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 48 Amps 600V 1.7 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGR48N60B3D4A参考图片 IXGR48N60B3D4A Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,...
点击查看IXGR48N60C3D1参考图片 IXGR48N60C3D1 Ixys ISOPLUS247? 1,230 IGBT 晶体管 48 Amps 600V
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGR50N160H1参考图片 IXGR50N160H1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 HIGH VOLT NPT IGBTS SONIC-FRD 1600V 75A
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看IXGR50N60A2U1参考图片 IXGR50N60A2U1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 50 Amps 600V
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.8 V,栅极/发射极最大电压:+/-...
点击查看IXGR50N60B参考图片 IXGR50N60B Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGR50N60B2参考图片 IXGR50N60B2 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 36 Amps 600V 2.0 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.2 V,栅极/发射极最大电压:+/-...
点击查看IXGR50N60B2D1参考图片 IXGR50N60B2D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 36 Amps 600V 2.0 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.2 V,栅极/发射极最大电压:+/-...
点击查看IXGR50N60BD1参考图片 IXGR50N60BD1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGR50N60C2参考图片 IXGR50N60C2 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 35 Amps 600V 2.5 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.7 V,栅极/发射极最大电压:+/-...
点击查看IXGR50N60C2D1参考图片 IXGR50N60C2D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 35 Amps 600V 2.5 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.7 V,栅极/发射极最大电压:+/-...
点击查看IXGR50N90B2D1参考图片 IXGR50N90B2D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 75 Amps 900V 2.7 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:900 V,集电极—射极饱和电压:2.9 V,栅极/发射极最大电压:+/-...
点击查看IXGR60N60B2参考图片 IXGR60N60B2 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 47 Amps 600V 1.8 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2 V,栅极/发射极最大电压:+/- 2...
点击查看IXGR60N60B2D1参考图片 IXGR60N60B2D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 47 Amps 600V 1.8 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2 V,栅极/发射极最大电压:+/- 2...
点击查看IXGR60N60C2参考图片 IXGR60N60C2 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.7 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.7 V,栅极/发射极最大电压:20 ...
点击查看IXGR60N60C2D1参考图片 IXGR60N60C2D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.7 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.7 V,栅极/发射极最大电压:20 ...
点击查看IXGR60N60C3C1参考图片 IXGR60N60C3C1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看IXGR60N60C3D1参考图片 IXGR60N60C3D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 60 Amps 600V
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.5 V,栅极/发射极最大电压:20 ...
点击查看IXGR60N60U1参考图片 IXGR60N60U1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 75 Amps 600V 1.7 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGR72N60C3D1参考图片 IXGR72N60C3D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,...

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