Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGP50N33TBM-A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 50 Amps 330V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGP70N33TBM-A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 V，封装形式：TO-220-3，包装形式：Tube，安装风格：Through Hole... | ||||||
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IXGP7N60B | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGP7N60BD1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGP7N60C | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGP7N60CD1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGP8N100 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 16 Amps 1000V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：+/- ... | ||||||
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IXGP90N33TCM-A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGQ120N30TCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 120 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXGQ150N30TC | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 150 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGQ150N30TCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 150 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGQ170N30PB | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 360 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGQ180N33TC | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGQ180N33TCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGQ200N30PB | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGQ20N120B | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 20 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.4 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IXGQ20N120BD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 20 Amps 1200 V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGQ240N30PB | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 POLAR IGBTS PDP APP 300V 500A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGQ28N120B | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGQ28N120BD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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