Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGN72N60A3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 72 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXGN72N60C3H1 | Ixys | SOT-227B | 20 | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGN80N60A2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.35 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGN80N60A2D1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.35 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGN82N120C3H1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 130Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGP10N60A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 20Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGP12N100 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGP12N100A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGP12N100AU1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGP12N120A2 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGP12N60B | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGP12N60C | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGP12N60CD1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGP15N100C | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 30 Amps 1000V 3.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGP15N120B | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IXGP16N60B2 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGP16N60B2D1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGP16N60C2 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 3.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGP16N60C2D1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 3.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGP20N100 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 40 Amps 1000V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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