Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGN100N120 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 G-series | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGN100N160A | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 100 Amps 1600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGN100N170 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGN120N60A3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXGN120N60A3D1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXGN200N60 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 200 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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IXGN200N60A | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 200Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGN200N60A2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 100 Amps 600V 1.35 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.35 V，... | ||||||
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IXGN200N60B | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅... | ||||||
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IXGN200N60B3 | Ixys | SOT-227B | 3 | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXGN320N60A3 | Ixys | SOT-227B | 365 | IGBT 晶体管 320 Amps 600V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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IXGN400N30A3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXGN400N60A3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 400 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.25 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGN40N60CD1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXGN50N60B | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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IXGN50N60BD2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGN50N60BD3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGN60N60 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—... | ||||||
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IXGN60N60C2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅... | ||||||
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IXGN60N60C2D1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅... | ||||||
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