Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGH72N60A3 | Ixys | TO-247AD | 51 | IGBT 晶体管 72 Amps 600V 1.35 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH72N60B3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 72 Amps 600V 1.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH72N60C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGH85N30C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 85 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH90N60B3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 90A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGJ40N60C2D1 | Ixys | TO-268 | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：20 ... | ||||||
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IXGK100N170 | Ixys | PLUS264? | 450 | IGBT 晶体管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGK120N120A3 | Ixys | TO-264（IXGK） | 702 | IGBT 晶体管 120 Amps 1200V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGK120N120B3 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 200Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXGK120N60B | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 76 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGK120N60C2 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 120 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGK28N140B3H1 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 28 Amps 1400V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1400 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGK320N60A3 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 320 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
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IXGK35N120B | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXGK35N120BD1 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGK35N120CD1 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 4 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGK400N30A3 | Ixys | TO-264（IXGK） | 25 | IGBT 晶体管 400 Amps 300V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
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IXGK400N30B3 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 400 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
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IXGK400N30C3 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 400 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
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IXGK50N60A2U1 | Ixys | TO-264（IXGK） | IGBT 晶体管 75Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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