Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGA7N60BD1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGA7N60C | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.7 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGA7N60CD1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGA8N100 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 16 Amps 1000V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，集电极—射极饱和电压：2.7 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IXGA90N33TC | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXGB200N60B3 | Ixys | PLUS264? | IGBT 晶体管 GenX3 600V IGBT | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
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IXGB75N60BD1 | Ixys | PLUS264? | IGBT 晶体管 120 Amps 600V 2.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGC12N60C | Ixys | ISOPLUS220? | IGBT 晶体管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGC12N60CD1 | Ixys | ISOPLUS220? | IGBT 晶体管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGC16N60B2 | Ixys | ISOPLUS220? | IGBT 晶体管 8 Amps 600V 2.3V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGC16N60B2D1 | Ixys | ISOPLUS220? | IGBT 晶体管 8 Amps 600V 2.3V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGC16N60C2 | Ixys | ISOPLUS220? | IGBT 晶体管 8 Amps 600V 3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGC16N60C2D1 | Ixys | ISOPLUS220? | IGBT 晶体管 8 Amps 600V 3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGE200N60B | Ixys | ISOPLUS227? | IGBT 晶体管 175 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... | ||||||
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IXGF25N250 | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 I4-Pak | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：2500 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGF30N400 | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 I4-Pak | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
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IXGF32N170 | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 26 Amps 1700V 3.5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：3.5 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IXGH100N30C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 100 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH6N170 | Ixys | TO-247AD | 118 | IGBT 晶体管 12 Amps 1700 V 4 V Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C... | ||||||
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IXGH6N170A | Ixys | TO-247AD | 49 | IGBT 晶体管 12 Amps 1700 V 7 V Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C... | ||||||
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