Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGA15N100C | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 30 Amps 1000V 3.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGA15N120B | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IXGA16N60B2 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGA16N60B2D1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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IXGA16N60C2 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 3.0V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGA16N60C2D1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 3.0V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGA20N100 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1000V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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IXGA20N120 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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IXGA20N120A3 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGA20N120B | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGA20N60B | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGA24N60C | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 G-SERIES "B"MID-FREQ SINGLE IGBT 600V 48A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGA30N120B3 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 GenX3 1200V IGBT | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGA30N60C3C1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGA42N30C3 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 42 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGA48N60A3 | Ixys | TO-263AA | 188 | IGBT 晶体管 48 Amps 600V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGA48N60B3 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 48 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGA48N60C3 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 48 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGA4N100 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 8 Amps 1000V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGA7N60B | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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