Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGH20N120A3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGH20N120B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 20 Amps 1200V 3.40 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C... | ||||||
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IXGH20N120BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 20 Amps 1200V 3.40 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXBH28N170A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30Amps 1700V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：6 V，栅极/发射极最大电压：+/- ... | ||||||
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IXBH40N160 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 1600V 33A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，... | ||||||
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IXBH42N170 | Ixys | TO-247AD | 2,070 | IGBT 晶体管 1700V 75A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：20 V，... | ||||||
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IXBH42N170A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 BIMOSET 42A 1700V | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：6 V，栅... | ||||||
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IXBH5N160G | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 5 Amps 1600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1600 V，集电极—射极饱和电压：4.9 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXBH6N170 | Ixys | TO-247AD | 55 | IGBT 晶体管 12 Amps 1700V 3.6 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXBH9N160G | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 9 Amps 1600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1600 V，集电极—射极饱和电压：4.9 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXG611S1T/R | Ixys | 8-SOIC | IGBT 晶体管 0.6 Amps 35V 25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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IXGA120N30TC | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 120 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGA12N100 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 24Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGA12N120A2 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 24 Amps 1200V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGA12N120A3 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 1200V, 12A IGBT; G Series | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXGA12N60B | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGA12N60BD1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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IXGA12N60C | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGA12N60CD1 | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGA150N30TC | Ixys | TO-263AA | IGBT 晶体管 150 Amps 300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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