Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg)
|
IXGH12N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGH12N60BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGH12N60C | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGH12N60CD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGH12N90C | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 900V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGH15N120B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C... | ||||||
|
|
IXGH15N120B2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，包装形式：Tube，集电极最大连续电流 Ic：30 A，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXGH15N120BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH15N120CD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.8 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH16N170 | Ixys | TO-247AD | 6,610 | IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C... | ||||||
|
|
IXGH16N170A | Ixys | TO-247AD | 45 | IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 5 V Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C... | ||||||
|
|
IXGH16N170AH1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 11 Amps 1700V 5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH16N60B2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
|
|
IXGH16N60C2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
|
|
IXGH17N100 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 17 Amps 1000V 4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH17N100A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 17 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH17N100AU1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 17 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH17N100U1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 17 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH20N100 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 1000V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGH20N120 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C... | ||||||
13/58 首页 上页 [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] 下页 尾页
