Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGH24N60CD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXGH25N100A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 HIGH SPEED IGBT 1000V 50A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
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IXGH25N120 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 50 Amps 1200V 3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGH25N120A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 25 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGH25N160 | Ixys | TO-247AD | 3 | IGBT 晶体管 75 Amps 1600V 2.5 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGH28N120B | Ixys | TO-247-3 | IGBT 晶体管 28 Amps 1200V 3.50 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：20 V，功率耗散：250 W，最大工... | ||||||
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IXGH28N120BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 28 Amps 1200V 3.50 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXGH28N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
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IXA55I1200HJ | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 XPT 1200V 84A Single IGBT | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXBF40N160 | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 40 Amps 1600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1600 V，集电极—射极饱和电压：6.2 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXBF9N160G | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 9 Amps 1600V 1600V 9A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1600 V，集电极—射极饱和电压：4.9 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXBH10N170 | Ixys | TO-247AD | 17 | IGBT 晶体管 10 Amps 1700V 2.3 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXBH16N170 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 1700V 25A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：20 V，... | ||||||
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IXBH16N170A | Ixys | TO-247AD | 1 | IGBT 晶体管 1700V 16A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：20 V，... | ||||||
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IXBN42N170A | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 42 Amps 1700V 6.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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IXBT10N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 10 Amps 1700V 2.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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IXBT16N170A | Ixys | TO-268AA | 25 | IGBT 晶体管 1700V 16A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，栅极/发射极最大电压：20 V，... | ||||||
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IXBT42N170 | Ixys | TO-268AA | 90 | IGBT 晶体管 BIMOSFET 1700V 75A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V... | ||||||
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IXBT42N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：6 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
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IXBT6N170 | Ixys | TO-268AA | 30 | IGBT 晶体管 12 Amps 1700V 3.6 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
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