Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGH48N60B3D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 1.05 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH48N60C3 | Ixys | TO-247AD | 1 | IGBT 晶体管 48 Amps 600V | |
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH48N60C3C1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75Amps 600V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,... | ||||||
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IXGH48N60C3D1 | Ixys | TO-247AD | 53 | IGBT 晶体管 30 Amps 600V | |
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH50N120C3 | Ixys | TO-247AD | 12 | IGBT 晶体管 75Amps 1200V | |
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
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IXGH50N60A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 50 Amps 600V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH50N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH50N60B2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.0 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH50N60C2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH50N90B2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 50 Amps 900V 2.7 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:900 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH50N90B2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 50 Amps 900V 2.7 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:900 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH60N30C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 60 Amps 300V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGH60N60 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 HIGH SPEED IGBT N-CHAN 600V 75A | ||
参数:制造商:IXYS,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:20 V,功... | ||||||
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IXGH60N60B2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C,... | ||||||
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IXGH60N60C2 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C,... | ||||||
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IXGH60N60C3 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 GenX3 600V IGBT | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXBN75N170A | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 75 Amps 1700V 6.00 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
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IXBP5N160G | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 5 Amps 1600V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1600 V,集电极—射极饱和电压:4.9 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
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IXGH20N140C3H1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 GenX3 1400V IGBTs w/ Diode | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
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IXGH20N60 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 LOW V IGBT 600V 40A | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... |
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