Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IGD01N120H2 | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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IGD06N60T | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IGP01N120H2 | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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IGP03N120H2 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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IGP06N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IGP10N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IGP15N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IGP20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT 600V | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：500，零件号别名：IGP20N60H3XK IGP20N60H3XKSA1 SP00... | ||||||
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IGP20N60H3HK | Infineon Technologies | TO-220AB | IGBT 晶体管 Discrete Semiconductor Pr | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流：40 A，功率耗散：170... | ||||||
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IGP30N60H3 | Infineon Technologies | TO-220AB | IGBT 晶体管 600V 30A 187W | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.95 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25... | ||||||
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IGP30N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IGP40N65F5 | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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IGP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | 500 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
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IGP40N65H5 | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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IGP50N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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IGW03N120H2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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IGW08T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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IGW15N120H3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 625 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2.7 V，栅极/发射... | ||||||
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IGW15T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 208 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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IGW20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 600V HI SPEED SW IGBT | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3XK SP000852238，... | ||||||
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