Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IHW40T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.2 KV，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
|
IHW40T60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.55 V，栅极/发射极最大电... | ||||||
|
|
IHY15N120R3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 Reverse Conducting IGBT Monolithic Body | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IHY15N120R3XK IHY15N120R3XKSA1 SP000678766，... | ||||||
|
|
IHY20N120R3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 Reverse Conducting IGBT Monolithic Body | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IHY20N120R3XK IHY20N120R3XKSA1 SP000678764，... | ||||||
|
|
IHY20N135R3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 Reverse Conducting IGBT Monolithic Body | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IHY20N135R3XK IHY20N135R3XKSA1 SP000752728，... | ||||||
|
|
IHY30N160R2 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 Reverse Conducting IGBT Monolithic Body | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IHY30N160R2XK IHY30N160R2XKSA1 SP000678770，... | ||||||
|
|
IKA03N120H2 | Infineon Technologies | TO-220FP-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 1200V 3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
IKA03N120H2E8153 | Infineon Technologies | TO-220FP-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 1200V 3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
IKA06N60T | Infineon Technologies | TO-220FP-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
IKA08N65F5 | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
IKA08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
|
IKA08N65H5 | Infineon Technologies | TO220-3 | IGBT 晶体管 10-120 kHz IGBT with Anti-Parallel Diode | ||
| 参数：制造商：Infineon，封装形式：TO220-3，... | ||||||
|
|
IKA10N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | 210 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
IKA15N60T | Infineon Technologies | TO-220-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
IKA15N65F5 | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
IKA15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-FP | 248 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：1.6 V，栅极/发射极最大电压... | ||||||
|
|
IKA15N65H5 | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
| 参数：制造商：Infineon，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
IKB01N120H2 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
IKB03N120H2 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
IKB06N60T | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
11/111 首页 上页 [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] 下页 尾页
