Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors(此前的Vishay Telefunken、General Semiconductor和Infineon Technologies红外元器件业务)是世界上最大的红外数据通信设备(IRDC)和整流器供应商。Vishay是第二大光耦合器供应商和第三大光学传感器供应商。在这些领域中,Vishay Semiconductors将原Vishay Telefunken、General Semiconductor(最大的中低功率整流器和TVS二极管的生产商)以及Infineon Technologies的红外元器件业务的产品系列相结合。以单一来源,向Vishay Semiconductors客户广泛提供用于短程红外数据传输、电源管理、远程控制和电气安全的通用半导体产品组合。 |
图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TSUS4300 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 5V 20mW 950nm 16 Deg | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:160 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSUS4400 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 18 Degree 170mW 950nm | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:140 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSUS5200 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 15 Degree 210mW 950nm | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:180 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSUS5201 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 15 Degree 210mW 950nm | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:230 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSUS5202 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 15 Degree 210mW 950nm | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:280 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSUS5400 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 22 Degree 210mW | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,射束角:22 deg,辐射强度:140 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,... | ||||||
TSUS5401 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 22 Degree 210mW 950nm | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:160 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSUS5402 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 22 Degree 210mW 950nm | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:190 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55... | ||||||
TSSS2600 | Vishay Semiconductors | 径向,侧视图 | 红外发射源 25 Degree 170mW 950nm | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:25 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 55 ... | ||||||
CQY36N | Vishay Semiconductors | 径向,1.8mm(T-3/4) | 红外发射源 55 Degree 1.5mW | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:1.5 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,封装形式:T-3/4,... | ||||||
CQY37N | Vishay Semiconductors | 径向,1.8mm(T-3/4) | 4,535 | 红外发射源 GaAs IR EMIT DIODE | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:5 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,封装形式:T-3/4,包装... | ||||||
IRA41004232 | Vishay Semiconductors | 红外发射源 IrDA EVAL BOARD | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:过渡期间,照明颜色:Infrared,... | ||||||
IRA41004232-KIT | Vishay Semiconductors | 红外发射源 IrDA EVALUATION KIT | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:否,照明颜色:Infrared,... |
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