Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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HTZ110A25K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 4 Amps 25000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：18.3 V，反向... | ||||||
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HTZ120A32K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 2 Amps 32000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：36.8 V，反向... | ||||||
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HTZ120A38K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 2 Amps 38000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：36.8 V，反向... | ||||||
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HTZ120A44K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 2 Amps 44000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：36.8 V，反向... | ||||||
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HTZ120A51K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 2 Amps 51000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：36.8 V，反向... | ||||||
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HTZ130B24K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 1 Amps 24000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：24 V，反向电压... | ||||||
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HTZ130B28K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 1 Amps 28000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：24 V，反向电压... | ||||||
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HTZ130B33K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 1 Amps 33000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：24 V，反向电压... | ||||||
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HTZ130B38K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 1 Amps 38000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：24 V，反向电压... | ||||||
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HTZ150C6K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 3 Amps 6000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：6 V，反向电压：... | ||||||
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HTZ150C7K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 3 Amps 7200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：6 V，反向电压：... | ||||||
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HTZ150C8K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 3 Amps 8400V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：6 V，反向电压：... | ||||||
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HTZ150C9K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 3 Amps 9600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：6 V，反向电压：... | ||||||
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HTZ160C12K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 2 Amps 12000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：12 V，反向电压... | ||||||
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HTZ160C14K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 2 Amps 14400V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：12 V，反向电压... | ||||||
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HTZ160C17K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 2 Amps 17800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：12 V，反向电压... | ||||||
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HTZ160C19K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 2 Amps 19200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：12 V，反向电压... | ||||||
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HTZ170C2.4K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 11 Amps 2400V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：1.9 V，反向电... | ||||||
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HTZ170C2.8K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 11 Amps 2800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：1.9 V，反向电... | ||||||
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HTZ170C2K | Ixys | 模块 | 分立半导体模块 11 Amps 2000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，类型：Switching Diode，安装风格：Screw，封装形式：HTZ，包装形式：Box，正向电压下降：1.9 V，反向电... | ||||||
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