| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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BT1306-600D,412 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 THYR AND TRIACS |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：8.8 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... |
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BT1308-400D |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 THYR AND TRIACS |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：10 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：400 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... |
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BT1308-400D,412 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 THYR AND TRIACS |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：10 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：400 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... |
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BT1308-600D |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 THYR AND TRIACS |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：10 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... |
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BT1308-600D,412 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 THYR AND TRIACS |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：10 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... |
SOT223-1.jpg)
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BT1308W-400D,115 |
NXP Semiconductors |
SC-73 |
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双向可控硅 Thyristor TRIAC 400V 10A 4-Pin (3+Tab) |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SC-73-4，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... |
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BT1308W-400D,135 |
NXP Semiconductors |
SC-73 |
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双向可控硅 Thyristor TRIAC 400V 10A 4-Pin (3+Tab) |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SC-73-4，包装形式：Reel，工厂包装数量：4000，... |
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BT1308W-600D,115 |
NXP Semiconductors |
SC-73 |
9,990 |
双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 10A 4-Pin (3+Tab) |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：0.8 A，不重复通态电流：10 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状... |
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BT1308W-600D,135 |
NXP Semiconductors |
SC-73 |
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双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 10A 4-Pin (3+Tab) |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SC-73-4，包装形式：Reel，工厂包装数量：4000，... |
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BT131-600 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 BULKSL TRIAC |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.8 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... |
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BT131-600,116 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
10,846 |
双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 13.8A 3-Pin |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：1 A，不重复通态电流：13.8 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状... |
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BT131-600,412 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
29 |
双向可控硅 BULKSL TRIAC |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：1 A，不重复通态电流：13.8 A，额定重复关闭状态电压 VDR... |
,TO-226_straightlead.jpg)
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BT131-600/DG,116 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 4Q TRIAC |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-92-3，包装形式：Reel，工厂包装数量：2000，... |
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BT131-600/DG,412 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
4,722 |
双向可控硅 4Q TRIAC |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-92-3，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... |
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BT131-600D,412 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
7,773 |
双向可控硅 600V 1A |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... |
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BT131-600DQP |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 |
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| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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BT131-600E |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 TRIAC |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... |
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BT131-600E,412 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 TRIAC |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... |
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BT131-800 T/R |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 THYR AND TRIACS |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：13.8 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... |
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BT131-800,116 |
NXP Semiconductors |
TO-92-3 |
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双向可控硅 THYR AND TRIACS |
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| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：1 A，不重复通态电流：13.8 A，额定重复关闭状态电压 VDR... |
